第三代半导体材料SiC、GaN双雄并立【乐竞app下载最新版】

本文摘要：第一代半导体材料以硅、锗居多，第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟居多，从上世界五六十年代以来，两代半导体材料为工业变革、社会发展作出了巨大贡献。

第一代半导体材料以硅、锗居多，第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟居多，从上世界五六十年代以来，两代半导体材料为工业变革、社会发展作出了巨大贡献。如今，以SiC、GaN、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的长禁带半导体材料以更大的优势力压第一、二代半导体材料沦为佼佼者，总称第三代半导体材料。　　与第一、二代半导体材料比起，第三代半导体材料具备更加长的禁带宽度，更高的穿透电场，更高的热导率，更高的电子饱和状态速率及更高的抗辐射能力，更加适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，一般来说又被称作长禁带半导体材料（禁带宽度小于2.2ev），亦称作高温半导体材料。

从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，更为成熟期的是SiC和GaN半导体材料，而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究尚属跟上阶段。在一番纷纷扰扰之后，SiC和GaN毫无疑问沦为第三代半导体材料双雄，发展尤为很快。

　　上世纪90年代之后，GaN转入较慢发展时期，年均增长率超过30%，日益沦为大功率LED的关键性材料。此后，GaN也同SiC一起，进占功率器件市场。

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